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元件参数资料
>
参数目录38648
> VN10LPSTOA MOSFET N-CH DMOS 60V TO92-3
型号:
VN10LPSTOA
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Diodes Inc
描述:
MOSFET N-CH DMOS 60V TO92-3
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
VN10LPSTOA PDF
产品变化通告
End Of Life 30/July/2009
其它图纸
TO-92
TO-92 Pin Out
TO-92 Front
TO-92 Side
标准包装
1
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
60V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
270mA
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
5 欧姆 @ 500mA,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs
-
输入电容 (Ciss) @ Vds
60pF @ 25V
功率 - 最大
625mW
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-226-3、TO-92-3(TO-226AA)成形引线
供应商设备封装
TO-92-3
包装
剪切带 (CT)
产品目录页面
1473 (CN2011-ZH PDF)
其它名称
VN10LPSTOA-ND
VN10LPSTOACT
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